檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "何清華".cadvisor (精準) and cadvisor.raw="李奎毅"
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本論文題目所用的Zn2P2S6和Ni2P2S6晶體為本實驗室用化學氣相傳導法(Chemical vapor transport method, CVT)生長，為層狀單晶材料，屬於過渡性金屬硫屬磷酸鹽…
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本論文使用化學氣相傳導法分別長出1T與2H結構之二硫化鉭(TaS2)和成長二硫化錸摻雜鉭Re1-XTaXS2 (X = 0, 0.01, 0.05)系列之高品質單晶，由X射線光電子能譜儀(XPS)確…
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本論文利用化學氣相傳導法成功生長出含碘化合物半導體碘化銅 (CuI) 和碘化鉛 (PbI2)，藉由能量色散 X 射線譜 (Energy dispersive X-ray spectroscopy, …
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本論文主要研究的晶體材料可分為兩類，其一類是二維有機無機混成鹵化鈣鈦礦結構，使用緩速蒸發恆溫溶液生長技術成長，藉由控制無機層的層數(n)可改變其吸收與放光的波長位置，n越大則吸收與放光波長越往…
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本論文的研究重點在於利用化學氣相傳導法 (Chemical Vapor Transport, CVT) 成長金屬鉍化硒代磷酸鹽之化合物 AgBiP2Se6和CuBiP2Se6，並探討其材料結構、光學…
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本論文使用化學氣相傳導法 (Chemical vapor transport, CVT) 成長錫之硫屬磷酸鹽化合物半導體 (The metal thiophosphates, MTPs) Sn2P2…
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本論文主要研究具有良好的發光特性材料，III-VI 族硒硫化鎵系列半導體GaSe1-xSx (0≤x≤1)，通過適當的硒硫成分變化來控制其光學特性，並分析放射螢光光譜以及區域掃描時間解析行為。在於這…
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本論文將討論寬能隙直接半導體相關的特性研究，材料有三:分別是由碘蒸氣所成長的碘化銅 (CuI)，以及利用化學氣相傳導法所成長的II-VI族半導體硒化鋅 (ZnSe) 與碲化鋅 (ZnTe)，藉由能量…
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本論文是利用化學氣相傳導法 (Chemical Vapor Transport, CVT) 成長層狀半導體Mo(SxSe1-x)2，其傳導劑為碘 (I2)。從X光繞射實驗可以確定此系列單晶之成分…